Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Журнали та продовжувані видання (3) | Реферативна база даних (2) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Lucas A$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 3 Представлено документи з 1 до 3 |
|||
| 1. | 
Lucas A. Mössbauer studies of spinellides of Mg(FexCr2-x)O4 system obtained by the hydroxide co-precipitation method [Електронний ресурс] / A. Lucas, V. Mokliak, I. Yaremiy, S. Yaremiy, I. Gasiuk, M. Matkivskiy // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2017. - № 5(6). - С. 56-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2017_5(6)__10 | ||
| 2. |
Yaremiy I. Developing and programming the algorithm of refinement of the crystal structure of materials with possible isomorphous substitution [Електронний ресурс] / I. Yaremiy, S. Yaremiy, V. Fedoriv, O. Vlasii, A. Lucas // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2018. - № 5(5). - С. 61-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2018_5(5)__9 В більшості випадків у програмному забезпеченні для аналізу даних Х-променевої дифрактометрії не передбачено можливості збереження стехіометричних співвідношень між хімічними елементами та співвідношень між заповненням атомами кристалографічних позицій. Тому розроблено та програмно реалізовано алгоритм, завдяки якому у матеріалах, що допускають ізоморфне заміщення, коректно розраховується розподіл атомів за кристалографічними позиціями з збереженням стехіометричного складу. Запропоновано поєднання можливостей використання розробленого алгоритму та програми FullProf. Це надає можливість враховувати різні умови, які накладаються на розподіл атомів за кристалографічними позиціями. Запропоновано оцінку однозначності визначеного стартового розподілу атомів шляхом пошуку локальних мінімумів у певних фізично обгрунтованих межах змін параметрів структури. Розроблено комплексний метод мінімізації функції відхилення теоретично розрахованих дифрактограм від експериментальних, який надає можливість уникати попадання цільової функції у локальний мінімум. Запропоновано 2 шляхи мінімізації різниці між розрахованою та експериментальною дифрактограмами. В першому за допомогою розробленого алгоритму знаходиться заповнення кристалографічних позицій, а вбудований у програму FullProf метод мінімізації обчислює всі інші параметри. В другому - використовується тільки розроблений алгоритм, а всі раніше наближені за допомогою програми FullProf параметри є зафіксованими. Показано ефективність даного алгоритму за встановлення розподілу атомів за підгратками у ферит шпінелях. Розроблений алгоритм по уточненню кристалічної структури може бути застосованим до будь-яких матеріалів, в яких є можливим ізоморфне заміщення, зокрема шпінелей, гранатів, перовскитів та ін. | ||
| 3. |
Yaremiy I. X-ray diagnostics of the structure of near-surface layers of ion-implanted monocrystalline materials [Електронний ресурс] / I. Yaremiy, S. Yaremiy, M. Povkh, O. Vlasii, V. Fedoriv, A. Lucas // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2018. - № 6(12). - С. 50-57. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2018_6(12)__8 Розроблено методику отримання інформації про розподіл параметрів кристалічної структури по товщині приповерхневого іонно-імплантованого шару, типи та характеристики радіаційних дефектів (розмір, концентрацію та ін.). Встановлено вплив основних дифракційних параметрів на криві дифракційного відбивання, що надало можливість розробити алгоритм наближення експериментальних кривих дифракційного відбивання теоретично обчисленими. Показано, що за невеликих доз імплантації на інтенсивність кривих дифракційного відбивання величина коефіцієнта екстинкції <$E mu sub ds> найбільше впливає за межами додаткової осциляційної структури, а величина статичного фактора Дебая - Валлера E - у межах останніх осциляцій додаткової осциляційної структури, які відповідають максимальній деформації. У цьому випадку для характеристики дефектної системи необхідно аналізувати дифузну складову, використовуючи частину кривої дифракційного відбивання, яка розміщена за додатковою осциляційною структурою і в якій вклад когерентної складової є мінімальним. Методику апробовано у ході аналізу імплантованих іонами бору плівок залізо-ітрієвого гранату. Наведений підхід надає можливість отримати велику кількість інформації про структуру іонно-імплантованого шару, оскільки використовує статистичну динамічну теорію розсіяння рентгенівських променів, яка враховує наявність дефектів кристалічної структури будь-яких типів і розмірів. Також даний підхід надає можливість використовувати всю інформацію, яку несуть в собі криві дифракційного відбивання, та оцінити ступінь однозначності визначених параметрів. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |